49146 晶飛半導體完成數千萬元天使輪融資,無限基金See Fund領投

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晶飛半導體完成數千萬元天使輪融資,無限基金See Fund領投
投融界 ·

Iselin

2023/11/20
晶飛半導體成立于2023年7月,專注于激光垂直剝離技術研究,旨在實現對第三代半導體材料的精準剝離,以有效降低碳化硅襯底的生產成本。

11月(yue)20日消息,近日,專注于半(ban)導體激光領域(yu)的(de)初(chu)創公司晶飛半(ban)導體,宣布已于2023年9月(yue)中旬成功(gong)完成了數千萬(wan)元的(de)天使輪融資。晶飛半(ban)導體本(ben)次融資由無限基金See Fund領投(tou),德(de)聯(lian)資本(ben)和中科神光跟投(tou)。

本(ben)輪融資為(wei)晶飛半(ban)導(dao)體(ti)注入了(le)強大的資本(ben)支持,所獲資金將主要應用于公司(si)產(chan)(chan)品迭代與更新(xin),積(ji)極響應行業需(xu)求,通過技術(shu)創新(xin)提供(gong)更先進(jin)、更經濟的解決方案,推動中(zhong)國半(ban)導(dao)體(ti)產(chan)(chan)業的發展,乃至為(wei)全球半(ban)導(dao)體(ti)技術(shu)的進(jin)步貢獻重要力量(liang)。

晶(jing)飛半導(dao)體成(cheng)立于2023年(nian)7月,專注于激光垂直(zhi)剝(bo)離技術研(yan)究,旨在實(shi)現對第三代半導(dao)體材料的精準剝(bo)離,以(yi)有(you)效降低碳(tan)化硅(gui)襯底(di)的生產成(cheng)本。在6英(ying)(ying)寸和8英(ying)(ying)寸碳(tan)化硅(gui)襯底(di)激光垂直(zhi)剝(bo)離技術的研(yan)發方面,公司(si)近5年(nian)連續獲(huo)得“北京(jing)市(shi)科技計劃項目”支持,并正(zheng)與(yu)國內頭部的襯底(di)企(qi)業展開(kai)合作工(gong)藝開(kai)發。

晶飛半導體完成數千萬元天使輪融資,無限基金See Fund領投

公(gong)司的(de)技(ji)術源自(zi)中科院半導體所的(de)科技(ji)成(cheng)果(guo)轉化,創始團隊深耕于激(ji)(ji)光精細微加工(gong)領域,利用(yong)超(chao)(chao)快激(ji)(ji)光技(ji)術,為各(ge)種(zhong)超(chao)(chao)薄(bo)、超(chao)(chao)硬、脆性材(cai)料提供激(ji)(ji)光解決(jue)方案,積極推(tui)動激(ji)(ji)光精細加工(gong)在(zai)制造業的(de)國(guo)產(chan)化和傳統工(gong)藝替(ti)代。

相較于傳統金(jin)剛線切(qie)割工藝(yi),激光垂直剝(bo)離(li)技術可(ke)完成高效(xiao)、精準的材料(liao)剝(bo)離(li),同(tong)時減少了碳(tan)化(hua)硅(gui)晶圓(yuan)的損傷,從而解決了加(jia)工速度低、損耗大、成本高等問題。

目(mu)前晶飛半導體(ti)的第一代樣機已(yi)完(wan)成(cheng)組裝與(yu)(yu)調試,正在(zai)與(yu)(yu)頭部企業客戶進(jin)行合作驗證和工藝開發。產(chan)品(pin)在(zai)工藝與(yu)(yu)設備的穩定(ding)一致性達到客戶要求后(hou)即可完(wan)成(cheng)客戶端產(chan)線(xian)部署的商(shang)業化進(jin)程(cheng),本輪融資正是在(zai)商(shang)業化節點上(shang)提供重(zhong)要助力。

加上晶飛半導(dao)體(ti)(ti)團隊此(ci)前已經(jing)做(zuo)了大(da)量的(de)知識產權(quan)儲備,使公司能(neng)夠在多個領域提供創新(xin)解決方案(an),通過與客戶的(de)緊密合作以(yi)確保他(ta)們夠充分利用公司的(de)設備和技術,讓公司的(de)創新(xin)成(cheng)果在半導(dao)體(ti)(ti)材(cai)料加工中具(ju)有巨大(da)潛力(li),為客戶提供更高效、更精確的(de)加工解決方案(an)。

晶飛半導體本(ben)次投資(zi)跟投方(fang)德(de)聯(lian)資(zi)本(ben)投資(zi)經理康乾熙認為,新(xin)能(neng)源革命的大背景下,碳(tan)化硅功率(lv)器件市場潛力巨大,但(dan)成本(ben)是制約(yue)其(qi)滲(shen)(shen)透率(lv)的關鍵因素。在器件層(ceng)面,碳(tan)化硅襯底成本(ben)占比高達47%,且(qie)由于其(qi)材料(liao)物理特性(xing),在切片環節中近一半的材質被(bei)無謂(wei)損耗;激光剝(bo)片這一新(xin)技術(shu)的出現可以顯著降低襯底成本(ben),是推動碳(tan)化硅器件滲(shen)(shen)透的重要手段。

晶飛(fei)半導(dao)體 天(tian)使(shi)輪 See Fund
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