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吉利(li)旗下晶能微電(dian)子晶圓制造及SiC模塊(kuai)制造項目開建

廣汽中(zhong)車合資IGBT項目(mu)青(qing)藍半導(dao)體投產

理(li)想汽車目前(qian)正在新加(jia)坡組建團(tuan)隊，從事SiC功率芯片的研發

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近年(nian)，隨著(zhu)新能(neng)源汽(qi)車對功(gong)率半導體需(xu)求的(de)增(zeng)加，各車企都在(zai)紛(fen)紛(fen)發力功(gong)率半導體。

對車(che)(che)企(qi)而言，斥巨(ju)資(zi)布局車(che)(che)芯(xin)產(chan)業鏈，已是家常便飯。特別是近幾年經歷“缺芯(xin)”折磨，車(che)(che)企(qi)的布局力(li)度(du)更加不遺余(yu)力(li)。其中，汽車(che)(che)功率半(ban)導體成為了加碼(ma)重(zhong)心(xin)。

功率半導體市場，水漲船高

功(gong)率(lv)(lv)半導體(ti)是(shi)(shi)電(dian)(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)(dian)子設備實現(xian)電(dian)(dian)(dian)力(li)轉(zhuan)換和電(dian)(dian)(dian)路控制的核(he)心(xin)元器件，主要用來(lai)對電(dian)(dian)(dian)力(li)進行轉(zhuan)換、控制，用于改變電(dian)(dian)(dian)子裝置中(zhong)的電(dian)(dian)(dian)壓和頻(pin)率(lv)(lv)、直流(liu)交流(liu)轉(zhuan)換等，涉及電(dian)(dian)(dian)動汽(qi)車(che)的驅動效率(lv)(lv)、充電(dian)(dian)(dian)速度(du)以及續航里(li)程等多方面性能，是(shi)(shi)電(dian)(dian)(dian)動汽(qi)車(che)三電(dian)(dian)(dian)系統的核(he)心(xin)部件。

當前，汽車“新四化”變革狂(kuang)飆突進，對(dui)車規(gui)級功(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)器件的需求逐漸向IGBT、SiC MOSFET等(deng)高價值量(liang)(liang)高功(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)器件靠攏，也推(tui)動著各種DC-DC模塊(kuai)、電(dian)機控制系統(tong)、電(dian)池管理系統(tong)、高壓電(dian)路等(deng)部件需求量(liang)(liang)急劇攀升(sheng)，功(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)半導(dao)體需求量(liang)(liang)水漲船高。

新能源汽(qi)車動力總成(cheng)的簡(jian)化示意圖(tu)

（圖源：Amoker）

據(ju)Strategy Analytics數據(ju)統計，相較傳(chuan)統燃油車(che)，純電動(dong)車(che)型中(zhong)的功率(lv)(lv)半(ban)(ban)導體使(shi)用量大幅提升，價值(zhi)占比約(yue)為(wei)55%。2022年新能源汽車(che)的單車(che)功率(lv)(lv)半(ban)(ban)導體價值(zhi)量達458.7美元，約(yue)為(wei)傳(chuan)統燃油車(che)的5倍。

在(zai)眾(zhong)多被新(xin)能源汽(qi)車帶動的(de)半(ban)導(dao)體(ti)產(chan)品中，汽(qi)車功(gong)率(lv)器件市場(chang)(chang)成為(wei)受(shou)(shou)益最大的(de)賽道之一(yi)。受(shou)(shou)量價齊升帶動，汽(qi)車領域功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)市場(chang)(chang)份額(e)逐(zhu)年提高，目前(qian)占比已經達(da)到35%，金額(e)約為(wei)160億美元。

其中，受益于其下(xia)游電動(dong)車和新能源的(de)有利的(de)增長前(qian)景，瑞銀表示(shi)，2023-2025年中國功率半導(dao)體公司的(de)收入或以全(quan)球市(shi)場(chang)兩到三倍的(de)速度(du)增長。

市場需求陡(dou)升之余(yu)，上一輪車用芯(xin)片的(de)短缺危機(ji)，突顯出車企對半(ban)導體的(de)依賴(lai)程度。其(qi)中(zhong)，作為最大的(de)增(zeng)量產(chan)品(pin)，功(gong)率半(ban)導體正迎(ying)來(lai)“量價齊(qi)升”的(de)快速(su)發展階段。

在其重要性愈發凸顯趨勢(shi)下，車(che)企的布(bu)局重心也逐漸向(xiang)功率半導體領(ling)域傾斜。

車企們，蜂擁而上

大概(gai)從2020年至今，車企(qi)布局功率半導(dao)體，逐漸成為一股(gu)越(yue)來越(yue)強勁的浪潮。

綜(zong)合(he)各家對于芯片研發(fa)需(xu)求和資源選擇方式，可以看到當前車企的(de)入局模式主要分(fen)為三種：自(zi)研、合(he)資/聯(lian)合(he)研發(fa)和戰(zhan)略(lve)投資。

車企(qi)自研(yan)

縱(zong)觀行業(ye)(ye)發展(zhan)現狀，由于車規(gui)級功率半(ban)導(dao)體是一個高(gao)技(ji)術壁壘(lei)的領域，對可靠性、安全性等要求極(ji)為(wei)苛刻，而(er)國內發展(zhan)起步(bu)較晚(wan)，汽車行業(ye)(ye)供應鏈(lian)又(you)相對封閉(bi)，長(chang)期以(yi)來(lai)，英(ying)飛凌(ling)、安森美、意法半(ban)導(dao)體、三菱電機等歐美日大廠憑借(jie)多年的技(ji)術積累和先進的制造能力占據了市(shi)場主導(dao)地位。

在(zai)這(zhe)樣的(de)背景(jing)下，也就意味著國內車企要(yao)想實現對功率半(ban)導(dao)體核心(xin)技術的(de)自主(zhu)掌控，現階段(duan)難度較(jiao)大，是一條(tiao)漫(man)(man)漫(man)(man)“長征”之路。

長周期(qi)、高研發成(cheng)本的投入需要企業持續不(bu)(bu)斷的輸血(xue)，加上后續的上車(che)驗證、放(fang)量以(yi)及回報率(lv)問題(ti)也存在不(bu)(bu)確定性，因(yin)而選擇自研功率(lv)半導體模式的車(che)企相對較少。

在此，比亞迪(di)是“先行者”。

比(bi)亞迪半導體

早在(zai)2005年，比(bi)亞(ya)(ya)迪旗(qi)下的比(bi)亞(ya)(ya)迪半(ban)導體便開(kai)啟了IGBT自研之路。

回顧其發(fa)(fa)展歷程，2007年(nian)，比亞迪(di)半導(dao)體建立(li)IGBT模(mo)塊(kuai)生產線，2009年(nian)完成首款車規級(ji)IGBT芯(xin)片開發(fa)(fa)，2018 年(nian)底發(fa)(fa)布車規級(ji)領域(yu)具有(you)標(biao)桿性意義的IGBT 4.0技(ji)術(shu)，2021年(nian)基(ji)于高密度Trench FS的IGBT 5.0技(ji)術(shu)實現量產。

比(bi)亞(ya)迪已擁有(you)全產業鏈IDM模式的運營(ying)能力。目前在IGBT模塊(kuai)領(ling)域，比(bi)亞(ya)迪半導體也已站到國內頭部位置。IGBT模塊(kuai)市場占有(you)率達19%，僅(jin)次于英(ying)飛凌。

除了(le)IGBT，比亞(ya)迪半導體在MCU芯片領(ling)域也有很強的(de)話語權。此外，其(qi)還實現(xian)了(le)SiC器(qi)(qi)件(jian)、IPM、CMOS圖像傳(chuan)感器(qi)(qi)、電磁傳(chuan)感器(qi)(qi)、LED光(guang)源及顯(xian)示等產(chan)品量產(chan)。

基于(yu)此，在整個車市備受“缺芯(xin)”折磨的疫情三年期間，這些(xie)競爭優(you)勢助推比亞迪一路逆風而起(qi)，新能源汽車銷量屢(lv)創新高。

有(you)業內(nei)人(ren)士直言(yan)，比亞迪(di)之所以(yi)能(neng)(neng)夠一枝獨秀，關(guan)鍵就在于(yu)其擁有(you)IGBT全產業鏈(lian)IDM模(mo)式運營能(neng)(neng)力，其搭建了從芯(xin)片設計(ji)、晶圓制造、模(mo)塊設計(ji)和整車應(ying)用的全產業鏈(lian)。

前(qian)不久，位于(yu)紹興濱海新區(qu)的(de)比亞迪半導體(ti)功率器件和傳感控制(zhi)器件研發及產業(ye)化項目一(yi)期竣工。

據了解，該項目總(zong)投資100億(yi)元(yuan)，用地417畝(mu)，項目建設年產(chan)(chan)72萬片功率器(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)產(chan)(chan)品和年產(chan)(chan)60億(yi)套光微電子產(chan)(chan)品生產(chan)(chan)線，達產(chan)(chan)后可實(shi)現年產(chan)(chan)值150億(yi)元(yuan)。一(yi)期(qi)項目研發生產(chan)(chan)的(de)功率器(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)、傳(chuan)感控(kong)制器(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)，均為新能源汽車(che)核(he)心器(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)。

相較于其汽車(che)銷(xiao)量一路扶搖直(zhi)上(shang)(shang)，比亞(ya)(ya)迪半導體的(de)IPO之路卻盡顯曲折，多次IPO“被中止”。不(bu)過，在今年3月的(de)業績會上(shang)(shang)，比亞(ya)(ya)迪董(dong)事長王傳福再次表態，“比亞(ya)(ya)迪半導體上(shang)(shang)市計(ji)劃不(bu)變，只是進(jin)程(cheng)上(shang)(shang)有一些調(diao)整”。

事實上，上市(shi)募資投建功率(lv)半(ban)導體，本就(jiu)是比亞(ya)迪(di)計劃(hua)之(zhi)一。據此(ci)前規劃(hua)，比亞(ya)迪(di)半(ban)導體上市(shi)將募集26.86億(yi)元，其中3.12億(yi)元將用于(yu)新型功率(lv)半(ban)導體芯片產業(ye)化及升級項(xiang)目(mu)，20.74億(yi)元用于(yu)功率(lv)半(ban)導體和(he)智能控制器(qi)件(jian)研發及產業(ye)化項(xiang)目(mu)，3億(yi)元用于(yu)補充流動資金(jin)。

另外，面對新能(neng)(neng)源汽車行業(ye)的(de)持(chi)續增(zeng)長，新增(zeng)晶圓(yuan)產(chan)(chan)能(neng)(neng)仍遠不(bu)能(neng)(neng)滿(man)足下游需求。為盡快(kuai)提升產(chan)(chan)能(neng)(neng)供給能(neng)(neng)力和自主可控能(neng)(neng)力，比(bi)亞(ya)迪半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體擬搶抓(zhua)時間(jian)窗口，開展大(da)規模晶圓(yuan)產(chan)(chan)能(neng)(neng)投資建(jian)設(she)。為擴大(da)晶圓(yuan)產(chan)(chan)能(neng)(neng)，比(bi)亞(ya)迪半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體上(shang)市在審期(qi)間(jian)還投資約49億元實施濟南(nan)功率半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體產(chan)(chan)能(neng)(neng)建(jian)設(she)項目。目前該項目已(yi)建(jian)成投產(chan)(chan)，產(chan)(chan)能(neng)(neng)爬坡順(shun)利，滿(man)產(chan)(chan)狀態產(chan)(chan)能(neng)(neng)達到3萬片/月，預(yu)計會對比(bi)亞(ya)迪半(ban)(ban)(ban)導(dao)(dao)體未(wei)來資產(chan)(chan)和業(ye)務結(jie)構產(chan)(chan)生較(jiao)大(da)影響。

吉(ji)利-晶能微(wei)電子

基于比亞迪這一“楷模”在前，其(qi)他(ta)車企也(ye)開始爭先效仿。

吉利去年6月(yue)也(ye)已經孵化了自己(ji)的功率半導體公司——晶能微(wei)電子，專注于新能源領域的芯(xin)片設計與模(mo)(mo)塊創新，擁(yong)有芯(xin)片設計、模(mo)(mo)塊制造(zao)、車規(gui)認證能力(li)，能夠開發車規(gui)級(ji)IGBT芯(xin)片及模(mo)(mo)塊、SiC器件、中(zhong)低壓MOSFET等(deng)產品(pin)。

今(jin)年3月，晶(jing)能微電子自主設計研發的首款車規級IGBT產品成(cheng)功流片(pian)，該款IGBT芯片(pian)采(cai)用第七代微溝槽柵和場截止技術，通(tong)過(guo)優化表面結構和FS結構，兼(jian)具短(duan)路(lu)耐受同時實現更(geng)低的開關損耗，功率密度(du)增大約35%。

6月(yue)，該公(gong)司還宣布完成第二輪融(rong)資，強調將按既定(ding)目標，扎實推進功(gong)(gong)率(lv)半導體的設(she)計研發、模塊(kuai)制(zhi)造和上車應(ying)用。今(jin)年9月(yue)，晶(jing)能微電子再次宣布，首款(kuan)SiC半橋(qiao)模塊(kuai)試制(zhi)成功(gong)(gong)。

近日，嘉(jia)興(xing)市政府網披露了晶(jing)(jing)(jing)能微(wei)電(dian)子科技生(sheng)(sheng)產(chan)(chan)(chan)基地項(xiang)(xiang)目(mu)(mu)(mu)對(dui)外招標的信息，項(xiang)(xiang)目(mu)(mu)(mu)進入建(jian)設(she)(she)(she)階(jie)段。據悉，該項(xiang)(xiang)目(mu)(mu)(mu)總投(tou)(tou)資(zi)50億元，分兩期(qi)建(jian)設(she)(she)(she)。其中，一(yi)期(qi)建(jian)設(she)(she)(she)內(nei)(nei)容(rong)為(wei)6英寸(cun)晶(jing)(jing)(jing)圓制(zhi)造(zao)項(xiang)(xiang)目(mu)(mu)(mu)及汽車SiC模塊制(zhi)造(zao)生(sheng)(sheng)產(chan)(chan)(chan)和研發基地。6英寸(cun)晶(jing)(jing)(jing)圓制(zhi)造(zao)項(xiang)(xiang)目(mu)(mu)(mu)主要(yao)建(jian)設(she)(she)(she)內(nei)(nei)容(rong)為(wei)投(tou)(tou)資(zi)建(jian)設(she)(she)(she)月產(chan)(chan)(chan)4萬片的6英寸(cun)硅基晶(jing)(jing)(jing)圓生(sheng)(sheng)產(chan)(chan)(chan)線及相關配(pei)套；SiC模塊制(zhi)造(zao)項(xiang)(xiang)目(mu)(mu)(mu)主要(yao)建(jian)設(she)(she)(she)內(nei)(nei)容(rong)為(wei)投(tou)(tou)資(zi)建(jian)設(she)(she)(she)年(nian)產(chan)(chan)(chan)60萬套SiC模塊制(zhi)造(zao)生(sheng)(sheng)產(chan)(chan)(chan)線及相關配(pei)套。一(yi)期(qi)項(xiang)(xiang)目(mu)(mu)(mu)建(jian)設(she)(she)(she)完成之后，晶(jing)(jing)(jing)能微(wei)還將(jiang)繼續在二期(qi)項(xiang)(xiang)目(mu)(mu)(mu)當中擴產(chan)(chan)(chan)。二期(qi)將(jiang)主要(yao)投(tou)(tou)資(zi)建(jian)設(she)(she)(she)年(nian)產(chan)(chan)(chan)180萬套SiC塑封半橋模塊制(zhi)造(zao)生(sheng)(sheng)產(chan)(chan)(chan)線及相關配(pei)套，繼續豐富碳化硅模組產(chan)(chan)(chan)品供(gong)應類型(xing)。

除了嘉興項(xiang)(xiang)目，晶(jing)能(neng)微在產能(neng)方面今年以來(lai)多點布局(ju)。5月26日(ri)，晶(jing)能(neng)微電(dian)子與(yu)溫(wen)嶺開(kai)發區簽訂項(xiang)(xiang)目合作協議，計劃投資建設車規級半導體封測基地。

長城汽車-芯動半導(dao)體(ti)

想要自研功率(lv)半導體的(de)還有長城汽車，去年11月長城設立的(de)芯(xin)動半導體第三代半導體模組(zu)封測項目(mu)也已于今年2月在無錫動工(gong)，規劃車規級模組(zu)年產能120萬套，產品涵蓋功率(lv)半導體模塊、分(fen)立器(qi)件(jian)等，預計在今年9月具備設備全面(mian)入廠條(tiao)件(jian)。

目前，芯動半導(dao)體(ti)以車(che)規(gui)級(ji)功率半導(dao)體(ti)為起點(dian)，在產品方面取得了諸多進展。

今(jin)年(nian)(nian)6月，芯(xin)動半導體750V/820A IGBT功(gong)(gong)率(lv)(lv)模(mo)塊(kuai)通(tong)(tong)過車規級(ji)AQG324認證；今(jin)年(nian)(nian)7月，完(wan)成25項(xiang)電驅動試(shi)驗；今(jin)年(nian)(nian)8月，芯(xin)動半導體首批 750V/820A IGBT功(gong)(gong)率(lv)(lv)模(mo)塊(kuai)裝機成功(gong)(gong)，并(bing)通(tong)(tong)過嚴格的(de)(de)下線(xian)測試(shi)，首批產品(pin)順利交付；今(jin)年(nian)(nian)11月，芯(xin)動半導體自主研(yan)發的(de)(de)GFM平臺 750V/820A IGBT功(gong)(gong)率(lv)(lv)模(mo)塊(kuai)順利裝車，首次實現在新能(neng)源汽車主驅控制(zhi)器中的(de)(de)規模(mo)化應(ying)用。

項(xiang)目方面，今年(nian)年(nian)初，芯動第三(san)代半(ban)導體(ti)模組(zu)封測(ce)項(xiang)目在無錫奠基(ji)；8月，無錫制造基(ji)地(di)首(shou)批(pi)封測(ce)設備順利進廠，芯動第三(san)代半(ban)導體(ti)模組(zu)封測(ce)項(xiang)目主體(ti)封頂；今年(nian)10月，產(chan)線全面通線，采(cai)用(yong)國際領先的生產(chan)設備；預(yu)計12月底(di)正(zheng)式(shi)投入量產(chan)。

12月1日，芯動半導體與博世汽車電子在上海簽署了長期訂單(dan)合(he)作協議。

據透露，本(ben)次合(he)作聚(ju)焦SiC業務(wu)，將進一(yi)步(bu)助(zhu)力(li)芯動半(ban)導體SiC業務(wu)穩(wen)步(bu)發(fa)展(zhan)。同時，也將促進芯動半(ban)導體形成更加集聚(ju)的發(fa)展(zhan)格局，進一(yi)步(bu)推動產業鏈融合(he)。

奇瑞(rui)-瑞(rui)迪(di)微電子

奇瑞(rui)汽車也早在4年前就開(kai)始(shi)啟動了IGBT生產鏈，成立瑞(rui)迪微電(dian)子(zi)公司，從事IGBT模塊及碳(tan)化硅MOS/SBD芯片的研發(fa)、封測和銷(xiao)售。

據悉，該項目總投(tou)(tou)資(zi)8億(yi)元人民幣，一期投(tou)(tou)資(zi)3億(yi)元人民幣，建(jian)設高度自動化、智能(neng)化的IGBT模(mo)塊封測生產線，建(jian)成后(hou)年產能(neng)150萬只新能(neng)源(yuan)(yuan)(yuan)汽車IGBT模(mo)塊，年配套(tao)60萬臺(tai)新能(neng)源(yuan)(yuan)(yuan)車；二期擴建(jian)后(hou)年產能(neng)可配套(tao)200萬臺(tai)新能(neng)源(yuan)(yuan)(yuan)車。

同時在碳(tan)化(hua)硅器(qi)件領域，瑞迪微電子在去年已(yi)(yi)與奇(qi)瑞汽(qi)車平(ping)臺(tai)及外部(bu)驅動(dong)方案(an)合(he)作伙伴已(yi)(yi)展開深度(du)合(he)作聯合(he)開發，今年已(yi)(yi)啟動(dong)導入驗證，其(qi)(qi)碳(tan)化(hua)硅模塊將(jiang)首先進入奇(qi)瑞汽(qi)車供應鏈，然后逐步開展與其(qi)(qi)他車廠(chang)及系統廠(chang)商(shang)的合(he)作，目(mu)前已(yi)(yi)準備投資規劃碳(tan)化(hua)硅模塊產線。

車企攜手芯片廠聯合研發

車(che)企自(zi)研縱然有諸多優(you)勢，但(dan)該模(mo)式的高(gao)技術壁(bi)壘和重資金投入也是車(che)企自(zi)研路上的絆腳石。對此，與相關公司(si)達成戰略合作或通過(guo)成立(li)合資公司(si)采取(qu)聯合研發的方式入局(ju)，對車(che)企來講(jiang)也不失(shi)為一種(zhong)絕(jue)佳路徑。

該模式下(xia)，雙方結(jie)合自身資(zi)源(yuan)和能力(li)，實現優(you)勢互補，從而取得(de)最高的(de)效率和產品質量，在(zai)汽車賽道競爭白熱化的(de)今天，顯得(de)尤(you)為(wei)重(zhong)要。同時對車企來說整體的(de)風(feng)險(xian)也相對較小，已成(cheng)為(wei)目前(qian)多(duo)數車企的(de)選擇(ze)。

廣(guang)汽&；中車時代：廣(guang)州青藍(lan)半導體(ti)

12月(yue)5日，廣州(zhou)青藍半(ban)導體有限(xian)公司(si)IGBT項目（一期）投產。

廣州青藍由廣汽(qi)部(bu)件與株(zhu)洲中車(che)時代半導體于2022年(nian)共同投資(zi)成立(li)，項目(mu)計(ji)劃總投資(zi)4.63億元，主要(yao)圍繞新能源汽(qi)車(che)自主IGBT領域開展技術研發和產業(ye)化應用。一期規劃產能為年(nian)產40萬只汽(qi)車(che)IGBT模(mo)塊；二期規劃產能為年(nian)產40萬只汽(qi)車(che)IGBT模(mo)塊，計(ji)劃2025年(nian)投產。項目(mu)全部(bu)完成后，可實現總產能80萬只/年(nian)。

廣(guang)汽集(ji)團近年(nian)來加快(kuai)向汽車“新四化”轉(zhuan)型，正(zheng)以(yi)自研(yan)+合作并行的方式加快(kuai)完善自身在(zai)新能源汽車關鍵零部件領域的研(yan)發與產(chan)業化布(bu)局。

此外(wai)，在芯(xin)(xin)片(pian)領域，已(yi)經(jing)聯合了粵芯(xin)(xin)半導體、地平線、宸境科技等(deng)芯(xin)(xin)片(pian)、智能(neng)網聯領域重(zhong)點企(qi)業，助力供(gong)應鏈自主可控以(yi)及產業鏈上下游協同，通過建鏈、補鏈、強鏈，將進一步增(zeng)強廣汽(qi)集團在新能(neng)源(yuan)汽(qi)車領域的綜合競爭(zheng)力。

長安(an)深藍汽(qi)車&；斯達(da)半(ban)導(dao)：重慶安(an)達(da)半(ban)導(dao)體

今年(nian)6月，長安旗(qi)下品牌深(shen)藍汽(qi)車與斯達半導體組建了一家全新合(he)資公司(si)——“重慶(qing)安達半導體有限公司(si)”。雙方將圍繞車規級功率(lv)半導體模(mo)塊開展合(he)作，共同推進下一代功率(lv)半導體在新能源汽(qi)車領域的(de)商業化應用。

按(an)照規(gui)劃，深藍汽車計劃在(zai)2025年(nian)(nian)前陸續推出共計6款產品，力(li)爭五年(nian)(nian)內實現(xian)產銷突破100萬(wan)輛；而斯(si)達半導體是國(guo)內新能(neng)(neng)源(yuan)汽車大功(gong)率車規(gui)級(ji)功(gong)率模塊(kuai)的主(zhu)要供應(ying)商，2022年(nian)(nian)斯(si)達半導體車規(gui)級(ji)模塊(kuai)配套超(chao)過(guo)120萬(wan)輛新能(neng)(neng)源(yuan)汽車。

雙方(fang)的(de)合作，一方(fang)面將增(zeng)強深藍汽車(che)的(de)供應(ying)鏈垂(chui)直整合能力(li)，為深藍汽車(che)達成百萬級戰略(lve)銷(xiao)量(liang)目標提(ti)供扎實(shi)支撐；另一方(fang)面還(huan)將加速雙方(fang)在“產研供需”方(fang)面的(de)優勢互補，合力(li)打(da)造高品質產品。

理(li)想汽車&；三安半導體：蘇(su)州斯科半導體

2022年3月，理想汽(qi)車關聯(lian)公司車和家擬與三安半(ban)導(dao)體將成立合營企業(ye)蘇州(zhou)斯(si)科半(ban)導(dao)體，布局車用SiC芯片及(ji)模塊市場。

去(qu)年8月，斯科半導體(ti)打造了理想汽車功率(lv)(lv)半導體(ti)研發(fa)及生產(chan)基地，計(ji)劃(hua)2024年正式投產(chan)后預計(ji)產(chan)能將(jiang)逐步提(ti)升(sheng)并最終達(da)到240萬只碳化硅半橋功率(lv)(lv)模塊的年生產(chan)能力。

近(jin)日，理想汽車在招聘信息中披露，公司在新加坡成立功率(lv)(lv)器(qi)件研發辦公室，目前公開多個(ge)技(ji)術崗，包括SiC功率(lv)(lv)模塊(kuai)失效分析/物(wu)理分析專家(jia)、SiC功率(lv)(lv)模塊(kuai)工藝專家(jia)、SiC功率(lv)(lv)模塊(kuai)電氣設計專家(jia)和SiC功率(lv)(lv)模塊(kuai)設計專家(jia)。

這也(ye)意味著(zhu)理(li)想(xiang)正在(zai)籌備自研碳(tan)化硅功(gong)率模(mo)塊，未來或可能建立功(gong)率模(mo)塊封測(ce)產線。

長城汽車&；同光半導體

2021年12月，長城(cheng)汽(qi)車(che)與第(di)三代(dai)半導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)企(qi)業(ye)同光(guang)半導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)公司簽(qian)署戰(zhan)略協議，聚焦第(di)三代(dai)新型寬禁帶半導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)碳(tan)化硅在(zai)新能源汽(qi)車(che)產(chan)業(ye)的(de)應用(yong)，推動碳(tan)化硅半導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)材料與芯片的(de)產(chan)業(ye)化。據(ju)悉，大(da)算力芯片和碳(tan)化硅等(deng)第(di)三代(dai)半導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)關(guan)鍵(jian)核心技術領(ling)域是長城(cheng)汽(qi)車(che)2025戰(zhan)略中重點發展方(fang)向之一。

吉利&；芯(xin)聚能半導(dao)體、芯(xin)合科技：芯(xin)粵能半導(dao)體

2021年5月(yue)，吉利汽(qi)車子公司(si)吉利威睿與(yu)芯聚(ju)能半導(dao)體(ti)、芯合(he)科(ke)技合(he)資(zi)合(he)資(zi)成立芯粵能半導(dao)體(ti)，主(zhu)要布局車規級功率半導(dao)體(ti)產(chan)品(pin)。該項目(mu)總投(tou)資(zi)75億(yi)元(yuan)人民幣(bi)，包(bao)含一(yi)期規劃(hua)年產(chan)24萬片(pian)6英寸SiC晶圓芯片(pian)，在2023年3月(yue)底(di)產(chan)線已(yi)經試投(tou)產(chan)，計劃(hua)2024年12月(yue)底(di)達產(chan)。

在一(yi)期(qi)達(da)(da)(da)產(chan)(chan)(chan)的(de)同時(shi)，芯(xin)粵能會啟(qi)動(dong)二期(qi)項(xiang)目(mu)，計(ji)劃年產(chan)(chan)(chan)24萬片8英寸SiC晶(jing)圓芯(xin)片，預計(ji)2026年達(da)(da)(da)產(chan)(chan)(chan)，并(bing)于同期(qi)啟(qi)動(dong)三期(qi)項(xiang)目(mu)，計(ji)劃在2029年達(da)(da)(da)產(chan)(chan)(chan)。預計(ji)項(xiang)目(mu)一(yi)期(qi)達(da)(da)(da)產(chan)(chan)(chan)年產(chan)(chan)(chan)值(zhi)40億(yi)元(yuan)，二期(qi)達(da)(da)(da)產(chan)(chan)(chan)后(hou)合計(ji)年產(chan)(chan)(chan)值(zhi)將達(da)(da)(da)100億(yi)元(yuan)。

此外，在2023年(nian)初，吉(ji)利科技宣(xuan)布與(yu)積塔半導體簽(qian)訂戰略合作(zuo)協議，雙方將圍繞車(che)(che)(che)規級(ji)芯(xin)片研(yan)發(fa)、制(zhi)造、市場應用、人(ren)才培(pei)養等領域開展全(quan)面合作(zuo)，共同致力(li)于車(che)(che)(che)規級(ji)芯(xin)片產業的(de)協同發(fa)展，推動半導體關(guan)鍵技術的(de)突破，建立成熟穩(wen)定的(de)汽車(che)(che)(che)半導體產業生態。

此(ci)次合(he)作，雙方將共建國內(nei)首家(jia)汽車(che)電(dian)子共享垂直整合(he)制造芯片(pian)聯盟(meng)，設立聯合(he)實驗室，聚焦(jiao)汽車(che)電(dian)子MCU、功率器件、SoC、PMIC等(deng)芯片(pian)的(de)研究開發、工藝聯調、生產(chan)制程，致力(li)于車(che)規可(ke)靠性測試(shi)及整車(che)量產(chan)應用。同(tong)時，雙方著力(li)先進制程能力(li)及人才隊伍培養打造，保障車(che)規級(ji)芯片(pian)供應鏈的(de)安全性和長期可(ke)持續性。

東風&；中(zhong)國中(zhong)車：智新半導體

2019年，東風(feng)與中(zhong)國(guo)中(zhong)車組建“智(zhi)新半(ban)導體”，擬投產以第六代IGBT技術(shu)為基礎(chu)的(de)IGBT模塊，將(jiang)搭(da)載于東風(feng)風(feng)神(shen)、嵐圖(tu)等(deng)自主品牌車型上。

智(zhi)新(xin)(xin)半(ban)導(dao)體碳化(hua)硅(gui)(gui)功率(lv)模塊在2021年1月立項(xiang)，將從今年開始搭載東(dong)風自主新(xin)(xin)能源乘用車，實現量產(chan)。據悉，11月4日，智(zhi)新(xin)(xin)半(ban)導(dao)體實現量產(chan)碳化(hua)硅(gui)(gui)功率(lv)半(ban)導(dao)體突(tu)破，東(dong)風首(shou)批采用納米銀(yin)燒(shao)結技術的自主碳化(hua)硅(gui)(gui)功率(lv)模塊，日前從智(zhi)新(xin)(xin)半(ban)導(dao)體二期產(chan)線順利下線，完成自主封裝、測試以及應用老化(hua)試驗。

據悉(xi)，該模塊能(neng)推動新能(neng)源汽車電氣架構從400V到800V的迭代(dai)，從而實現10分(fen)鐘(zhong)充(chong)電80%，并(bing)進一步提升車輛續航里程，降低(di)整(zheng)車成本。

此外，東風(feng)汽車總投(tou)資 2.8 億元的功率模(mo)塊(kuai)二期(qi)項(xiang)目也(ye)在加速推進中，該項(xiang)目一方(fang)(fang)面優化現(xian)有產(chan)(chan)線，提高IGBT模(mo)塊(kuai)產(chan)(chan)量，另(ling)一方(fang)(fang)面開辟(pi)兩條全新產(chan)(chan)線，按訂單需求生產(chan)(chan)IGBT模(mo)塊(kuai)及碳(tan)化硅(gui)功率模(mo)塊(kuai)，到2025年，每年可為(wei)東風(feng)新能源汽車生產(chan)(chan)提供約120萬只功率模(mo)塊(kuai)。

一汽&；ACP、億(yi)馬先鋒(feng)

2019年3月，一汽(qi)與美國AC Propulsion公(gong)司、北京(jing)億(yi)馬先鋒汽(qi)車科技(ji)有限公(gong)司成立(li)協同創新實驗室，開展碳化(hua)硅技(ji)術等研究。

2021年，一汽與億馬(ma)半導體合資公司的碳化硅項(xiang)目投產(chan)，年產(chan)30萬個模塊。

上(shang)汽(qi)&；英飛(fei)凌：上(shang)汽(qi)英飛(fei)凌

2018年(nian)3月，上(shang)汽和英飛(fei)凌成立合資企業上(shang)汽英飛(fei)凌汽車(che)功率半導體(ti)（上(shang)海）有限(xian)公司，探索如何確保其碳化(hua)硅(gui)芯片供應途徑，包(bao)括與零組件制造商組建合資企業。

據上汽(qi)英(ying)飛凌官方消息，上汽(qi)英(ying)飛凌已建立了(le)先進的自動化生產線，階段性地完成了(le)第(di)一代(dai)和第(di)二代(dai)產品(pin)的量產，目前上汽(qi)新能源(yuan)汽(qi)車(che)的核(he)心部件IGBT功(gong)率半導體模塊由上汽(qi)英(ying)飛凌全力保障供(gong)給。

上(shang)汽(qi)(qi)英(ying)飛凌(ling)基于英(ying)飛凌(ling)產品支持(chi)，其HybridPACK Drive功(gong)率(lv)模(mo)塊(kuai)采用英(ying)飛凌(ling)最(zui)先進的(de)第(di)7代IGBT/EDT2芯片和首創的(de)模(mo)塊(kuai)封裝技術(shu)，兼具高(gao)功(gong)率(lv)密(mi)度、低能量損(sun)耗的(de)特點，展現了(le)超越普通(tong)汽(qi)(qi)車功(gong)率(lv)模(mo)塊(kuai)30%以上(shang)的(de)功(gong)率(lv)循(xun)環能力(li)，成為不(bu)同功(gong)率(lv)等級的(de)新能源電動(dong)汽(qi)(qi)車和混(hun)合(he)動(dong)力(li)汽(qi)(qi)車功(gong)率(lv)半(ban)導體(ti)的(de)首選產品，截至(zhi)目(mu)前，上(shang)汽(qi)(qi)英(ying)飛凌(ling)已累計(ji)完成了(le)超過1百萬(wan)只IGBT功(gong)率(lv)模(mo)塊(kuai)在中國市場的(de)生產與銷售(shou)。

戰略投資

除了自研和成立合資(zi)公司之外，采用(yong)戰略投資(zi)的(de)模式入局功(gong)率半導體在汽車(che)(che)行業也已(yi)司空見慣。此(ci)舉或是(shi)為(wei)擴充自己的(de)投資(zi)版圖，或是(shi)為(wei)自己培養潛在供應(ying)商(shang)，總體上幾乎(hu)主流(liu)車(che)(che)企都已(yi)涉足，通過戰略合作(zuo)協議的(de)簽(qian)署(shu)，力推自身(shen)實現車(che)(che)規級IGBT、SiC MOSFET等相關(guan)產(chan)品的(de)產(chan)業化。

瞻芯電子(zi)

以(yi)瞻芯電(dian)子(zi)為例(li)，在其(qi)成立以(yi)來(lai)的7輪融資中，便有(you)北(bei)汽(qi)(qi)產業投資、小(xiao)米(mi)集(ji)團、廣汽(qi)(qi)資本(ben)、小(xiao)鵬汽(qi)(qi)車(che)、上汽(qi)(qi)投資等現(xian)身。去年2月，小(xiao)鵬汽(qi)(qi)車(che)更是獨(du)家投資了(le)該公司。

據悉，瞻芯(xin)電(dian)子是中國第一家自主開發(fa)并(bing)掌握6英(ying)寸SiC MOSFET產品(pin)以及工藝平臺(tai)的(de)(de)(de)公司(si)。這幾年陸(lu)續(xu)在車規級(ji)高電(dian)壓、低(di)電(dian)阻(zu)SiC MOSFET器件上的(de)(de)(de)突破，圍繞以SiC應用為核心的(de)(de)(de)Turn-key芯(xin)片方案(an)供應商戰略，穩步推進SiC IDM的(de)(de)(de)戰略轉型，即將打通從設計到生產的(de)(de)(de)閉環。

芯聯動力

今年10月，中芯集成(cheng)公告投資設立(li)芯聯動力科(ke)技(ji)（紹(shao)興）有限(xian)公司，聚(ju)焦車規級碳化硅（SiC）制(zhi)造及(ji)模組封(feng)裝的一(yi)站式系統解決方案。

據悉，芯(xin)聯動力集(ji)結了多家中外(wai)新能(neng)源企業(ye)、車企以(yi)及半導體企業(ye)，除(chu)中心集(ji)成以(yi)外(wai)，還包括上(shang)汽集(ji)團(tuan)旗(qi)下的(de)(de)(de)尚頎資(zi)本和恒旭資(zi)本，小鵬汽車旗(qi)下的(de)(de)(de)星航資(zi)本，寧德時代旗(qi)下的(de)(de)(de)晨道投資(zi)，立(li)訊精密旗(qi)下的(de)(de)(de)立(li)翎基金，博(bo)世旗(qi)下的(de)(de)(de)博(bo)原資(zi)本，陽光電(dian)源則是國內(nei)領先的(de)(de)(de)光伏企業(ye)。

臻驅(qu)科技

今年(nian)9月，沃(wo)爾沃(wo)汽車科(ke)(ke)技基金(jin)投資臻(zhen)驅科(ke)(ke)技，將(jiang)主(zhu)要圍(wei)繞碳化硅功率模塊及電(dian)控(kong)整機的應用展開深入研究。

飛锃半(ban)導體

北汽(qi)(qi)集團(tuan)也通過關聯(lian)企業(ye)深圳(zhen)安鵬天使投資中(zhong)心（有限合伙）入(ru)股SiC功率器件研發(fa)商(shang)飛锃半(ban)導體。實際上，這并(bing)不是北汽(qi)(qi)集團(tuan)第一次布局半(ban)導體。早(zao)在(zai)2018年(nian)，北汽(qi)(qi)集團(tuan)旗下(xia)北汽(qi)(qi)新(xin)(xin)能源(yuan)與(yu)羅姆半(ban)導體成(cheng)立(li)聯(lian)合實驗室；2019年(nian)，北汽(qi)(qi)集團(tuan)與(yu)恩智浦簽署戰略合作；2020年(nian)，北汽(qi)(qi)產投與(yu)Imagination合資發(fa)力車(che)用半(ban)導體，同年(nian)北汽(qi)(qi)集團(tuan)牽頭(tou)建設(she)的國(guo)創(chuang)中(zhong)心在(zai)京發(fa)起“中(zhong)國(guo)汽(qi)(qi)車(che)芯片創(chuang)新(xin)(xin)聯(lian)盟”。

此外，聞泰(tai)科技、士蘭微、斯達(da)半導、長(chang)晶科技、基本半導體(ti)等一大批(pi)功率半導體(ti)企業(ye)，已經獲得了(le)多個主機(ji)廠、一級供(gong)應商資本的(de)支持，正在尋求國產(chan)替代進程。

除了直接投資功率半導體(ti)企業外，車(che)企還在(zai)不斷圍繞產業鏈(lian)進行(xing)布局。

據不(bu)完全(quan)統計，上汽、廣汽及小鵬等車企投資公(gong)司還(huan)參與了(le)天岳先進戰略配售。天岳先進是國內半(ban)絕緣型(xing) SiC 襯(chen)底(di)龍頭，計劃建設(she)年產 30 萬(wan)片(pian)導(dao)電(dian)型(xing) SiC 襯(chen)底(di)。

長城汽車入股同(tong)光(guang)股份，布局(ju)SiC襯(chen)底(di)材料。同(tong)光(guang)股份是河(he)北省首(shou)家(jia)能夠量產SiC單晶襯(chen)底(di)的新興產業企業，通過與中(zhong)國科(ke)學院半導體所的合作(zuo)，致力于SiC單晶材料與應用(yong)研究(jiu)，該(gai)公司的SiC單晶襯(chen)底(di)產品已涵蓋不同(tong)直徑和類型。

寫在最后

整體而言(yan)，汽車市(shi)(shi)場作為包(bao)括(kuo)SiC在(zai)內的(de)(de)(de)功(gong)率半導體的(de)(de)(de)最大應(ying)用領域，隨著(zhu)新(xin)能源(yuan)汽車賽道的(de)(de)(de)爆發，市(shi)(shi)場進入蓬勃發展的(de)(de)(de)階段。再加上800V高(gao)壓平臺以及更多汽車電動化、智能化熱潮(chao)“來襲”，車企與(yu)功(gong)率半導體廠(chang)商的(de)(de)(de)合(he)作也將(jiang)愈發緊密(mi)。

這也(ye)使得車企不可抑制(zhi)的卷入到這場“旋(xuan)渦”之中。從上文也(ye)能看到，在(zai)功(gong)率半導體(ti)的布局版圖中，幾乎能找到當前所有主流車企的身影。

綜合來看，車企無論是選擇(ze)自研(yan)，還是通過組建合資公司、戰略(lve)投資等(deng)方式布局功(gong)(gong)率(lv)半導體(ti)領域，都能夠(gou)提升(sheng)功(gong)(gong)率(lv)半導體(ti)供應的(de)穩定(ding)和高性價比，同時還能夠(gou)提早布局下一代功(gong)(gong)率(lv)半導體(ti)的(de)研(yan)發，在產業(ye)鏈環節獲(huo)取更(geng)多的(de)話語權和競(jing)爭優勢。

進一步(bu)來(lai)說，整(zheng)個汽車產業(ye)鏈也有望得到優化和完善。

尤其對(dui)于國(guo)內(nei)車(che)企而言(yan)，功率半(ban)導體(ti)更是一個充滿(man)機遇和(he)挑戰的(de)賽道，令車(che)企緊繃神經(jing)的(de)同時，切不敢掉以輕心(xin)。