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三星(xing)和(he)英特爾的日子這兩年都不太好過(guo)。

三星2023年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)財報中(zhong)，該年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)營業利(li)潤(run)為(wei)(wei)6.54萬(wan)億(yi)韓(han)元，比上財年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)減少(shao)85%，利(li)潤(run)水平創下(xia)了15年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)來新低(di)，尤(you)其是三星的半導(dao)體(ti)部門，雖然在第四季(ji)度虧損(sun)收窄(zhai)，但2023年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)三星半導(dao)體(ti)業務全年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)虧損(sun)仍高達(da)14.88萬(wan)億(yi)韓(han)元，作為(wei)(wei)對比，2022年(nian)(nian)(nian)(nian)(nian)同期(qi)盈利(li)23.82萬(wan)億(yi)韓(han)元，差距高達(da)近40萬(wan)億(yi)韓(han)元。

隔壁英特(te)(te)爾(er)也沒好到哪(na)里去，英特(te)(te)爾(er)2023年營收為542.3億(yi)(yi)(yi)美(mei)(mei)元(yuan)(yuan)(yuan)，較2022年的630.5億(yi)(yi)(yi)美(mei)(mei)元(yuan)(yuan)(yuan)下跌(die)14%，凈利潤為16.89億(yi)(yi)(yi)美(mei)(mei)元(yuan)(yuan)(yuan)，相較2022年的80.14億(yi)(yi)(yi)美(mei)(mei)元(yuan)(yuan)(yuan)暴跌(die)78.92%。

要知道，三(san)星(xing)和(he)英特(te)爾在(zai)(zai)進入最(zui)近幾年(nian)，一直在(zai)(zai)半(ban)導(dao)體市場里爭著第(di)一和(he)第(di)二的位置(zhi)，兩位當了二十余年(nian)的霸主(zhu)，如今卻好像走在(zai)(zai)一條下坡路上。

是(shi)半導體(ti)下(xia)行(xing)周期(qi)使然，還是(shi)挑戰者在撼動它(ta)們曾經(jing)(jing)牢不(bu)可破的城墻呢？還是(shi)半導體(ti)龍(long)頭(tou)這個位置已經(jing)(jing)被“詛咒(zhou)”了？

AMD和英特爾

對(dui)于AMD來說，21世紀的(de)頭(tou)十年表現(xian)得喜憂(you)參半。

在AMD第二任CEO魯毅智的(de)主(zhu)導(dao)下，AMD選擇(ze)了自研(yan)AMD64架構(gou)(gou)，并于(yu)2003年(nian)推出(chu)面(mian)向服務器(qi)(qi)和(he)工(gong)作站的(de)Opteron (皓(hao)龍) 處理器(qi)(qi)、面(mian)向臺式電(dian)腦(nao)和(he)筆記簿(bu)電(dian)腦(nao)的(de)AMD速(su)龍64處理器(qi)(qi)以及(ji)提供影院級別計算性(xing)能的(de)速(su)龍64 FX處理器(qi)(qi)，由于(yu)英特(te)(te)爾在安(an)騰（Itianium）架構(gou)(gou)的(de)判斷失誤，AMD一度在和(he)英特(te)(te)爾處理器(qi)(qi)的(de)競爭中占得上風。

但也是在魯毅智的(de)主導下，2006年，AMD宣布以54億美(mei)元（以42億美(mei)元現金和5700萬股AMD普通股）并購顯(xian)卡廠商ATI，AMD市值此時市值僅有88億美(mei)元左右，為了湊夠(gou)42億美(mei)元現金，AMD還向(xiang)摩(mo)根(gen)士丹(dan)利(li)舉債(zhai)借了25億美(mei)元，最終完成了這筆龐(pang)大的(de)收(shou)購。

CPU+GPU的(de)未來(lai)愿景看似美(mei)好，但勢(shi)單力薄的(de)AMD很快就遇到了大難題，一邊是英(ying)特爾，一邊是英(ying)偉達，兩線作戰的(de)AMD根本無力招架(jia)來(lai)自這兩家的(de)迅猛攻勢(shi)，變賣各種(zhong)部門，出(chu)售晶圓(yuan)廠(chang)， K10、推土機、打樁機、壓路機，各類(lei)CPU架(jia)構層出(chu)不窮，但一直難有起色。

AMD的(de)(de)衰落(luo)，讓英特爾過上了好日子(zi)。2006年，AMD處(chu)理器(qi)在x86服(fu)務器(qi)市(shi)場(chang)(chang)的(de)(de)份額曾(ceng)達(da)25%，但到2014年，已縮(suo)減到不(bu)足3%，而英特爾此(ci)時(shi)幾乎壟斷了整個服(fu)務器(qi)市(shi)場(chang)(chang)。至于消費端(duan)，英特爾也占(zhan)據(ju)了移動電腦芯片90%的(de)(de)市(shi)場(chang)(chang)份額，桌面電腦芯片83%的(de)(de)市(shi)場(chang)(chang)份額。

從(cong)2007年(nian)到2016年(nian)這十(shi)年(nian)時間，是英(ying)特(te)爾大把收(shou)錢的時期(qi)，不管是毛(mao)利率還是凈利率都高于英(ying)偉(wei)達與AMD，這還是建立在它的營收(shou)規模遠(yuan)大于其他兩家的基(ji)礎之上(shang)的，雖然(ran)英(ying)特(te)爾錯過(guo)了(le)手機芯片的風口(kou)，但它似(si)乎光靠服務器(qi)和消費市場，就已(yi)經能高枕無(wu)憂。

2009年(nian)至2012 年(nian)，英(ying)特(te)(te)爾在CPU方面大(da)發(fa)神威，基(ji)本上將AMD趕出了服(fu)務器市(shi)場(chang)，英(ying)特(te)(te)爾也因此獲得了巨大(da)的定價權(quan)和(he)利(li)潤權(quan)，OEM廠商們(men)只(zhi)能看英(ying)特(te)(te)爾的臉(lian)色(se)過活。

這種躺著數錢的(de)(de)(de)生活固然美好，但(dan)也(ye)帶來了新的(de)(de)(de)問(wen)題，一(yi)旦有(you)具(ju)備優勢的(de)(de)(de)競爭對手出現(xian)，被英特爾(er)視為錢袋子(zi)的(de)(de)(de)OEM就會轉投另一(yi)家廠商，這一(yi)伏筆早已埋(mai)下，即使英特爾(er)沒有(you)犯(fan)下10nm和7nm制程(cheng)工(gong)藝上的(de)(de)(de)失誤，高達97%的(de)(de)(de)服(fu)務器市場份額也(ye)不會保持更長(chang)時間。

2017年2月(yue)22日，AMD新任CEO蘇姿豐在(zai)發布會上公(gong)布了自K8時(shi)代(dai)之(zhi)后(hou)最(zui)令(ling)人印(yin)象深刻的處理(li)器——銳龍，其中包括 1800X、1700X 和 1700三(san)款(kuan)處理(li)器，在(zai)消(xiao)(xiao)費級市場(chang)打(da)響(xiang)了第一槍，雖然它們(men)的性能(neng)沒有(you)完全(quan)趕上英(ying)特爾，但卻有(you)一個英(ying)特爾無法比擬的優點——便(bian)宜，相同定位的銳龍只(zhi)賣酷睿(rui)的一半價格，試問又有(you)哪(na)一位消(xiao)(xiao)費者(zhe)不會心動呢(ni)？

同(tong)樣的(de)情況出現在了服務器市場(chang)當中，AMD在2017年(nian)6月(yue)正式發(fa)布了面向(xiang)服務器市場(chang)的(de)第一代EPYC（霄龍）處(chu)理器，憑借(jie)多核設計、PCIe 擴展選(xuan)項以及原始內存帶(dai)寬(kuan)等優勢，一掃此前在服務器市場(chang)的(de)陰霾。

相較(jiao)于紙面上(shang)的技術優勢(shi)，主要 OEM 廠商在(zai)展會上(shang)對 AMD EPYC 的堅定支(zhi)持，才(cai)讓更(geng)多人意識(shi)到，服務(wu)(wu)器市(shi)場的風向變了。蘇姿豐在(zai)發布會上(shang)與(yu)惠(hui)普(pu)執行副總(zong)裁兼總(zong)經理 Antonio Neri 共同(tong)展示了基(ji)于EPYC的新型惠(hui)普(pu)服務(wu)(wu)器以及與(yu)英特爾 Xeon 平臺相比在(zai)云服務(wu)(wu)、軟件定義存(cun)儲和數據(ju)分析方面的具體優勢(shi)。

此外，戴爾(er)/EMC服(fu)(fu)務(wu)器(qi)(qi)(qi)總(zong)裁兼總(zong)經理 Ashley Gorakhpurwalla與AMD企業、嵌入式和(he)半定制(zhi)部門高級副總(zong)裁兼總(zong)經理 Forrest Norrod還共同推出了戴爾(er)/EMC PowerEdge 服(fu)(fu)務(wu)器(qi)(qi)(qi)，并展示了 AMD 的一(yi)些(xie)新安全加密虛擬化技術，以及 EPYC 在戴爾(er)/EMC 第 14代PowerEdge 服(fu)(fu)務(wu)器(qi)(qi)(qi)中具有更(geng)高核心數和(he)更(geng)靈(ling)活擴展選項的單插槽服(fu)(fu)務(wu)器(qi)(qi)(qi)優(you)勢。

不(bu)僅是惠普和戴爾，AMD還獲得了獨立硬件和軟件供應(ying)商的支持(chi)，如 SuperMicro、Xilinx、VMWare、Red Hat 和 Microsoft等也都紛紛加(jia)入其中，AMD從這場發布會開(kai)始(shi)，正式打(da)響了服(fu)務(wu)器(qi)領域(yu)的反擊戰。

對英特(te)爾來(lai)說(shuo)，這(zhe)幾乎是一(yi)個死局，在先(xian)進制(zhi)程和移動市(shi)場上的失利雖然讓它感覺有(you)些不爽(shuang)，但(dan)在服務器(qi)市(shi)場上的節節敗退，才讓這(zhe)位霸(ba)主真正感受(shou)到了(le)痛徹心扉。

2021年2月，帕(pa)特(te)(te)·基辛(xin)格上任(ren)英特(te)(te)爾(er)第八任(ren)CEO，經歷了創始人戈登-摩爾(er)（Gordon Moore）和安迪-格魯夫（Andy Grove）的(de)他是一位(wei)技術(shu)老兵，他曾在英特(te)(te)爾(er)推(tui)動(dong)了關(guan)(guan)鍵行業技術(shu)（如 USB 和 Wi-Fi）的(de)創造，還在酷睿和至強系列中發(fa)揮了關(guan)(guan)鍵作用(yong)。

他提(ti)出(chu)了在四年內實現五個工藝節點的目(mu)標，未來(lai)將和臺積電和三星(xing)在先進制程代(dai)工市(shi)(shi)場中展開競爭(zheng)，甚(shen)至可能有(you)機會占據較(jiao)大(da)份(fen)額(e)，但對于英特爾(er)來(lai)說，隨著AMD和Arm的崛起，以及更多云服務廠商選擇自(zi)研芯片，過去它(ta)在服務器市(shi)(shi)場里躺著賺錢的時(shi)光，注定(ding)只能成為(wei)一種美(mei)好回(hui)憶(yi)。

現在的(de)(de)英(ying)特(te)爾(er)，想要(yao)恢復(fu)往日(ri)的(de)(de)輝(hui)煌，只能把希望寄托于AMD、英(ying)偉達和臺積(ji)電等(deng)對手的(de)(de)集體衰(shuai)落(luo)，但這顯然是不可能的(de)(de)，即便是恢復(fu)該有的(de)(de)營收(shou)和盈利水平，也要(yao)付出更(geng)多的(de)(de)努力(li)才行，就(jiu)像數(shu)年前的(de)(de)AMD一樣，英(ying)特(te)爾(er)也要(yao)走一條漫長而又痛苦的(de)(de)荊棘之路。

三星和海力士

對比(bi)英特爾，三星半導體的業務(wu)要顯得(de)更加駁雜(za)，從(cong)手機處(chu)理器到代工廠，從(cong)影像(xiang)傳感器到DRAM和NAND，龐(pang)大的帝國讓它一度(du)超越英特爾，問(wen)鼎全球(qiu)半導體市場(chang)。

如(ru)(ru)今的它卻節(jie)節(jie)敗退，甚至在(zai)內存(cun)市場上險些(xie)被(bei)SK海力士所超(chao)越(yue)，這(zhe)背后(hou)當然(ran)有很多(duo)因素影響，如(ru)(ru)5nm制程代(dai)工的萎靡，以及獵戶座處(chu)理(li)器設計(ji)的失敗，但最致命的恐怕還是HBM。

HBM的(de)歷(li)史可以追溯(su)到(dao)十多年前(qian)，AMD在收(shou)購ATI后，開始研究更先(xian)進(jin)的(de)顯(xian)存(cun)(cun)技(ji)術，當(dang)時(shi)的(de)GDDR陷入到(dao)了內存(cun)(cun)帶寬和功耗控制的(de)瓶頸(jing)，而(er)AMD就打(da)算用(yong)先(xian)進(jin)的(de)TSV技(ji)術打(da)造立體堆(dui)棧式(shi)的(de)顯(xian)存(cun)(cun)顆粒，讓“平房”進(jin)化為“樓房”，通過硅中介層讓顯(xian)存(cun)(cun)連接至GPU核心，最后封裝到(dao)一(yi)起，實現顯(xian)存(cun)(cun)位寬和傳輸速度的(de)提(ti)升。

當時AMD的合作(zuo)伙(huo)伴就是SK海力(li)士(shi)，經過多年研發后(hou)，兩家廠商(shang)聯合推出(chu)了初代HBM產(chan)品，這一產(chan)品也被定為了JESD235行(xing)業標準，初代HBM的工(gong)作(zuo)頻率約為1600 Mbps，漏(lou)極電(dian)源電(dian)壓為1.2V，芯(xin)片(pian)密度為2Gb（4-hi），帶(dai)寬達4096bit，遠(yuan)超GDDR5的512bit。

新技術的(de)誕生(sheng)并(bing)非一帆(fan)風順，AMD后續在消費端顯(xian)(xian)卡里取消了(le)HBM顯(xian)(xian)存(cun)，而海力士也沒有因為這(zhe)一新內存(cun)標準(zhun)而獲利，此(ci)時(shi)三(san)星卻找到(dao)了(le)機會，通(tong)(tong)過這(zhe)一通(tong)(tong)用的(de)行業標準(zhun)，三(san)星成(cheng)為了(le)英偉達Tesla P100顯(xian)(xian)卡中HBM2顯(xian)(xian)存(cun)的(de)供應(ying)商(shang)，這(zhe)也成(cheng)了(le)三(san)星的(de)高(gao)光時(shi)刻之(zhi)一。

但(dan)三星在HBM上(shang)的(de)優勢(shi)并(bing)未保持(chi)多久，2021 年 10 月，海力(li)士率先量(liang)產(chan)HBM的(de)第四代產(chan)品——HBM3，截(jie)至目前，SK海力(li)士幾乎包(bao)攬了英偉達(da)的(de)HBM3的(de)供(gong)應，曾經更(geng)快量(liang)產(chan)HBM2的(de)三星，卻還沒(mei)有明(ming)顯的(de)HBM3的(de)供(gong)應表現。

問題(ti)出在了(le)哪里(li)呢？

原來在HBM這項技(ji)術上，三星(xing)和SK海力士各自采用(yong)不同的封裝方法。SK的選擇是回流焊成(cheng)型底部填充 (MR-MUF) 方法，在烤箱(xiang)中同時烘烤所有層(ceng)，而三星(xing)則采用(yong)了(le)熱壓縮非導電(dian)膜 (TC NCF) 技(ji)術，在每層(ceng)之間(jian)用(yong)薄(bo)膜堆疊芯片。

SK海(hai)(hai)力(li)(li)士的(de) MR-MUF 技術可一(yi)(yi)次性(xing)封(feng)(feng)裝多層(ceng) DRAM。在 DRAM 下方(fang)，有用于(yu)連(lian)接(jie)芯(xin)片的(de)鉛基(ji)“凸塊(kuai)”，MR 技術涉及加(jia)(jia)熱(re)(re)并同時(shi)熔(rong)化所有這些凸塊(kuai)以進行焊接(jie)。連(lian)接(jie)所有 DRAM 后，將(jiang)執行稱為 MUF 的(de)工藝來保護芯(xin)片，通過注入(ru)一(yi)(yi)種以出色的(de)散熱(re)(re)性(xing)而(er)聞名的(de)環氧密封(feng)(feng)化合物來填充(chong)芯(xin)片之間的(de)間隙并將(jiang)其封(feng)(feng)裝起(qi)來，然后通過施加(jia)(jia)熱(re)(re)量和壓力(li)(li)使組(zu)件變(bian)硬(ying)，從(cong)而(er)完成 HBM。SK海(hai)(hai)力(li)(li)士將(jiang)此過程描述為“像(xiang)在烤箱中烘烤一(yi)(yi)樣(yang)均勻地施加(jia)(jia)熱(re)(re)量并一(yi)(yi)次性(xing)粘(zhan)合所有芯(xin)片，使其穩定而(er)高效(xiao)。”

三星的(de)(de)(de)TC NCF被稱為(wei)“非(fei)導電薄膜熱壓(ya)”，與MR-MUF略有不同。其每次堆(dui)疊芯片時(shi)，都會在各(ge)層(ceng)(ceng)之間放(fang)置一層(ceng)(ceng)非(fei)導電粘合膜。該膜是一種(zhong)聚合物材料(liao)，用(yong)于(yu)將芯片彼此(ci)隔離，并保護連接點(dian)免受(shou)沖擊。三星逐步降低了(le) NCF 材料(liao)的(de)(de)(de)厚度，將其降至12層(ceng)(ceng)第五代 HBM3E的(de)(de)(de)7微米 (μm)。三星表(biao)示：“這種(zhong)方法的(de)(de)(de)優(you)點(dian)是可(ke)以最大限度地減少隨著層(ceng)(ceng)數增加(jia)和芯片厚度減小而(er)可(ke)能(neng)發(fa)生的(de)(de)(de)翹(qiao)曲，使(shi)其更適合構建更高的(de)(de)(de)堆(dui)棧。”

但(dan)三(san)(san)星顯(xian)然出現了判斷失誤，TC NCF遠不如MR-MUF來得穩定，據海外分析師表示，三(san)(san)星HBM3芯片的生產良率約為10%~20%，而SK海力士的HBM3良率可(ke)達60%~70%。

也有業內(nei)人士表示：“三星似乎在(zai)用于(yu) HBM 封(feng)裝的(de) TC-NCF 工藝中面臨產(chan)能問題，僅僅因為他們(men)在(zai)內(nei)存半導體領域的(de)主導地位，就(jiu)認(ren)為他們(men)的(de)技術天生就(jiu)適用，這種(zhong)想(xiang)法已經(jing)過時了。三星的(de)HBM3E樣品(pin)的(de)功耗(hao)是(shi)SK海力士的(de)兩倍多，這些問題導致人們(men)批評其性能相對(dui)于(yu)功耗(hao)太低。”

而路透社在(zai)(zai)5月24日報道也印證了(le)這些問題，據知情人士稱，三星最新的HBM芯(xin)片(pian)尚未通過英(ying)偉(wei)達(da)的測(ce)試，原(yuan)因(yin)是存在(zai)(zai)發(fa)熱和功耗問題。這些問題不僅(jin)影響到了(le)三星的 HBM3 芯(xin)片(pian)，也影響到這家韓(han)國科技巨頭打算在(zai)(zai)今年(nian)推向(xiang)市場的HBM3E 芯(xin)片(pian)。

韓國成(cheng)均館大學化學工(gong)程系的(de)(de)權錫俊教(jiao)授表(biao)示：“TSV（硅通孔）對于8層及以上(shang)的(de)(de)HBM封裝至(zhi)關(guan)重要，但三(san)星尚未妥善管理這一級(ji)別的(de)(de)量(liang)產質(zhi)量(liang)控制，導致即(ji)使在(zai)12層時也(ye)會出現(xian)(xian)預期的(de)(de)挑戰(zhan)(zhan)。”他補(bu)充道， “盡管三(san)星的(de)(de) TC-NCF 系列在(zai)理論上(shang)隨(sui)著(zhu)多層的(de)(de)改進(jin)而有(you)所(suo)改善，但實現(xian)(xian)高良率封裝仍然(ran)具有(you)挑戰(zhan)(zhan)性，尤(you)其是(shi)在(zai)更高的(de)(de)層數中。”

在市場判斷上(shang)的(de)(de)失誤很容易解決，但在技術路線上(shang)的(de)(de)失誤恐怕就(jiu)沒那(nei)么(me)容易糾正了，這也可能是(shi)三(san)星5月21日(ri)宣布半(ban)導體部(bu)門(men)緊急換帥的(de)(de)原因之一，新任(ren)負責人全永鉉之前就(jiu)處理過SDI在三(san)星Note7手機(ji)電池發(fa)熱起火(huo)的(de)(de)危(wei)機(ji)，讓有(you)半(ban)導體經驗的(de)(de)他來當救火(huo)隊員，算是(shi)一個相對(dui)合適的(de)(de)選擇。

另外，根據(ju)(ju)(ju) Merits Securities的(de)(de)數據(ju)(ju)(ju)，今年第(di)一季度，SK海力士(shi)占(zhan)據(ju)(ju)(ju)了(le)(le)59%的(de)(de)HBM市場(chang)份額(e)，而(er)三(san)(san)星(xing)電子占(zhan)據(ju)(ju)(ju)了(le)(le) 37%，但三(san)(san)星(xing)占(zhan)據(ju)(ju)(ju)這些市場(chang)份額(e)并非是(shi)它的(de)(de)產品獲(huo)得了(le)(le)多(duo)少客戶的(de)(de)認可，而(er)是(shi)海力士(shi)承載不了(le)(le)太多(duo)的(de)(de)HBM訂單。

在HBM上的(de)失敗甚(shen)至(zhi)導致(zhi)了三星(xing)電子半導體(ti)部(bu)(bu)門內部(bu)(bu)出現了“SK海力(li)士(shi)分包商(shang)”這(zhe)樣的(de)的(de)自嘲說法(fa)。“有很(hen)多人說，SK 海力(li)士(shi)已經(jing)成為 HBM 市場(chang)的(de)全球(qiu)主要供應商(shang)，而(er)三星(xing)已經(jing)淪(lun)落到(dao)只能(neng)接(jie)受 SK 海力(li)士(shi)無法(fa)完成的(de)多余訂單的(de)境(jing)地，”三星(xing) DS（設備解決方(fang)案）部(bu)(bu)門的(de)一名員(yuan)工說，“我經(jing)常和(he)同事(shi)們(men)談論(lun)，昔日半導體(ti)強國的(de)好日子已經(jing)一去不復返了，缺乏領(ling)導力(li)，無法(fa)解讀市場(chang)趨勢并為之做(zuo)好準備，這(zhe)才是問題所在。”

在(zai)各種有(you)關三星HBM不(bu)行(xing)的(de)消息(xi)漫(man)天(tian)飛(fei)的(de)當下(xia)，三星所發表的(de)“正(zheng)在(zai)按計(ji)劃(hua)順利進(jin)行(xing)”的(de)聲明，多少顯得有(you)些蒼白無力(li)。

數十年來(lai)一(yi)直(zhi)在內存中處于領導地位的三星，因(yin)(yin)技術的失誤而被海力士拉近(jin)了差(cha)距，甚至可能因(yin)(yin)此而導致衰落，隨(sui)著它的代工競(jing)爭對手臺積(ji)電(dian)與(yu)SK海力士簽署(shu)HBM相關協議，開始(shi)進軍內存半導體(ti)領域，這種危機感顯然會進一(yi)步加(jia)重。

在AI時代里(li)， HBM這樣(yang)的(de)(de)定(ding)制內存成為了內存關鍵，即使是相對弱勢的(de)(de)美光，近兩年也開足了馬(ma)力追趕，曾經在傳(chuan)統的(de)(de)DRAM和NAND里(li)叱咤風云的(de)(de)三星，卻(que)顯得有些措手不及，它的(de)(de)好(hao)日子也已(yi)經到頭(tou)了嗎？

寫在最后

這兩(liang)位半導體市場的霸(ba)主，一(yi)位折(zhe)戟于服務器，一(yi)位敗走于HBM，倘若把時間倒退回2016年左右，那(nei)時的人們恐怕不會(hui)相信，它們竟然(ran)會(hui)犯(fan)下(xia)如此明顯的錯誤。

如何(he)挽回損失，維(wei)持自(zi)己的霸主地位(wei)，這是擺在英特爾CEO和三星半導體事(shi)業部(bu)長面前的現(xian)實問(wen)題，不過在解決之(zhi)前，如何(he)保證不會(hui)重蹈覆轍，或(huo)許是兩家乃至更多(duo)半導體公司所(suo)需要(yao)思考(kao)的。

最后，多說一句，如果說半導體龍頭的(de)位置真的(de)被詛咒(zhou)了(le)，我(wo)開始為最近登頂的(de)英(ying)偉(wei)達擔(dan)憂(you)了(le)？